SiC-gelijkrichters

STMicroelectronics 'snelle siliciumcarbide gestructureerde Schottky-diodes

STMicroelectronics 'siliciumcarbide gestructureerde Schottky-diodes' schakeling stelt ontwerpers in staat om een ​​hoger niveau van efficiëntie en vermogensdichtheid te bereiken. De ST's 650 V en 1200 V SiC-diodefamilies bestrijken stroomsterktes van 2 A tot 40 A en omvatten zowel industriële als auto-gekwalificeerde AEC-Q101-apparaten in opbouwmontage DPAK HV (hoogspanning) en D²PAK, of door- gat TO-220AC- en TO-247LL-pakketten (lange kabel).

ST's assortiment van 1200 V siliciumcarbide (SiC) JBS (Junction Barrier Schottky) -dioden voldoet aan de behoeften van ontwerpers voor superieure efficiëntie, laag gewicht, kleine afmetingen en verbeterde thermische eigenschappen voor prestatiegerichte toepassingen.

Biedt uitstekende voorwaartse spanning (lage V_F) en state-of-the-art robuustheid, ST's 1200 V SiC-diodes bieden extra vrijheid om een ​​hoge efficiëntie en betrouwbaarheid te bereiken met een lagere stroomsterkte en dus lagere kosten, terwijl de bedrijfstemperatuur wordt verlaagd en de levensduur van de applicatie wordt verlengd. Ze passen perfect in elke switch-mode converter en omvormer waar extreme vermogensdichtheid en efficiëntie nodig zijn, zoals SMPS, UPS, zonne-energie en motoraandrijvingen.

ST's 1200 V SiC-diodefamilie heeft een stroombereik van 2 A tot 40 A en omvat zowel industriële als voor auto's geschikte AEC-Q101-apparaten in opbouwmontage DPAK HV (hoogspanning) en D²PAK, of doorlopende TO -220AC- en TO-247LL-pakketten (lange kabel).

Met ST's 1200 V SiC kunnen hoge normen en een kleine vormfactor worden bereikt.